白皮书
磷化铟(InP)激光二极管器件生产:等离子沉积最大性能

InP结合了宽带隙和高电子迁移率的特性，使其成为制造光电器件的理想半导体。一个关键的应用是通信，随着数据流量的增加，通信正在迅速扩展。InP能够制造能够在高频率下运行的组件，从而允许更高的数据量。特别是，它为激光二极管制造提供了令人信服的优势，以具有竞争力的价格提供出色的功能。当设计和制造得到优化时，InP激光器在宽的温度范围内提供高光谱纯度和光功率。

此外，可达到的波长范围1100 - 2000nm是光纤通信的最佳选择。因此，为InP激光器的生产建立具有成本效益的处理策略直接支持了通信的发展，以支持日益增长的数据传输需求。

在本白皮书中，我们研究了等离子体加工技术在InP激光二极管制造中的作用，重点介绍了电感耦合等离子体化学气相沉积(ICPCVD)和等离子体增强CVD (PECVD)的相对优点。主要目的是突出不同工艺的相关特征，并展示如何优化应用它们，结合起来，高效地制造高性能激光器。

作者

Mark Dineen博士
技术营销经理，牛津仪器等离子技术bob平台下载手机版