为下一代GaN hemt提供原子层处理解决方案
inp基激光器和光电二极管的等离子体解决方案
高蚀刻率。高选择性。低伤害处理。卓越的剖面控制。独立控制衬底直流偏置。
简单和经济的解决方案，等离子蚀刻，化学蚀刻和离子诱导蚀刻的应用，包括失效分析。bob综合app官网登录
完善的技术，广泛的各种薄膜，高质量的钝化和高密度掩模。
在纳米级结构，GaN HEMT和RF器件工程中具有独特的灵活性和能力，可提供可集群的选项。
bob平台下载手机版牛津仪器与国际工业研究院宣布GaN HEMT器件性能取得突破性进展。
bob平台下载手机版牛津仪器公司与技术加速合作伙伴class - sic验证功率器件。
该技术提供了与CMP相当的结果，但OPEX更低，设备产量更高，工艺窗口能够支持…
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