白皮书
使用太赫兹光谱对200毫米晶圆上沉积TiN的等离子体原子层的无损电学表征

氮化钛(TiN)在互补金属氧化物半导体(CMOS)技术中用作金属栅极，因为它具有低电阻率，并且与栅极介质兼容。¹由于TiN的化学和热稳定性，它也被沉积为耐磨涂层和铜扩散的阻挡层。²传统的TiN沉积是采用物理气相沉积技术，由于阴影效应，特别是在高纵横比结构中，在深接触和通过沟槽时台阶覆盖较差。

原子层沉积(ALD)是一种薄膜沉积技术，允许Å-level控制薄膜厚度，优良的均匀性和高纵横比特征的保形涂层。已报道了使用各种前驱体如四氯化钛(TiCl)通过ALD沉积TiN薄膜₄)，^3.四(二甲氨基)钛(Ti(N(CH)_3.）₂）₄TDMAT)。^{2 4 5}

然而，优化薄膜生长、电学性能及其均匀性是经常需要的。理想情况下，可以对被沉积覆盖的整个表面的厚度和电均匀性进行无损表征，以确保最终薄膜的质量。本白皮书将演示使用太赫兹光谱在200毫米晶圆上沉积TiN的等离子体原子层的无损电特性。

作者

Ravi Sundaram博士
牛津仪器等离子技术战略研发市场主管bob平台下载手机版

Israel Arnedo博士
太赫兹技术总监，das-Nano