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白皮书:
ALD和ALE用于GaN HEMT电力电子

用于功率转换和传输的新型氮化镓电力电子产品正在开发中。氮化镓的高迁移率和高击穿电压使其成为理想的功率器件材料。有几种策略来创建这样的器件，使用AlGaN的凹槽蚀刻是一个突出的策略。此外，还需要栅极介质层来限制泄漏电流。

研讨会:
带ATOMFAB ALD的GaN器件的栅介质

从2019年7月开始随时观看本次网络研讨会。我们的ALD专家，Aileen O'Mahony博士为GaN提供了ALD的大师课程。我们着眼于如何实现优良的均匀性，优化的工艺条件，低基片损伤，高材料质量，优越的器件性能和共形沉积。本次网络研讨会还包括对Atomfab ALD系统的介绍。