什么是2D材料？

PECVD石墨烯"

使用等离子体增强的化学气相沉积直接在介电基材上直接生长纳米晶体。

• 温度> 900°C

2D异质结构

二维二硫化钼(MoS)的原位生长₂）石墨烯异质结构

我们提供CVD/PECVD/远程等离子体(ICP) CVD系统，该系统配备前驱体蒸汽输送模块，用于生长二维层和石墨烯、MoS等材料的异质结构₂，WS.₂等。

这有三个步骤:

• 步骤1:在Cu上生长石墨烯
• 第2步：将石墨烯转移到SiO上₂
• 第3步：成长mos.₂转移到SiO上的石墨烯₂
  
  

流程功能：

• 温度> 900°C
• 形成一层MOS₂拉曼光谱证实
• 沉积时间对于保证完整的MoS单分子层至关重要₂形成了
• MOS的温度₂沉积石墨烯及其质量对于MOS中石墨烯的稳定性至关重要₂过程

垂直石墨烯.

• 温度600°C - 900°C
• 锁定系统提供更高的吞吐量，因为不需要冷却生长室来交换样品
• 该过程需要吹扫气体
• 成核取决于底层基底和C源组合（碳，2013，Vol.58,59-65）

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