化学气相沉积(CVD)

CVD是一种成熟的技术，用于沉积各种不同成分和厚度的薄膜，直到单层原子。

CVD系统腔室深度图

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突出了

衬底直接位于电极上，可加热至1200˚C
气体通过顶部电极的“喷头”进气口注入工艺室
用于2D材料MOCVD、ZnO纳米线CVD等新工艺的固/液前驱体输送系统。
自动负载锁定，将样品直接转移到热风台上，节省加热和冷却时间。
等离子体增强可用于低温沉积或等离子体辅助转换或功能化以及腔室清洗。
同一腔室可进行多种工艺
PlasmaPro®100纳米是一种高温CVD/PECVD系统，专为纳米结构材料和硅基薄膜的高质量沉积而设计。

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温度可达1200˚C
直接和远程等离子增强选项
操作压力高达5托(可能更高)
带有端点控制的干式等离子清洗过程消除或减少了物理/化学室清洗的需要
除12条气体输送管线外，还有多个加热/冷却液体/固体前体输送系统。
提供广泛的材料沉积，包括:

Si基PECVD/ICP CVD工艺和高温CVD工艺在同一腔室
一维材料生长，如碳纳米管，ZnO纳米线和硅纳米线
二维材料生长，如石墨烯，hBN, MoS₂/ WS₂和其他过渡金属二卤属化合物(TMDCs)

运行中的CVD过程图像，远程等离子体

铜箔上的石墨烯畴。(在薄膜完成前生长被抑制，以便在扫描电镜中显示区域)

铜箔上的石墨烯畴

hBN的CVD生长

hBN化学汽相淀积

CVD MoS的生长₂

金属氧化物半导体₂化学汽相淀积

更多2D材料……

PlasmaPro 100 Nano	700°C表	800°C表	1200°C表
薄膜工艺	SiOx, SiNx, aSiC, aSi， μc-Si, polyi *	SiOx, SiNx, aSiC, aSi， μc-Si, polyi	SiOx, SiNx, aSiC, aSi， μc-Si, polyi
1D纳米材料	mwnt, Si, Ge NWs, ZnO NWs	mwnt, SWNTs, Si, Ge, ZnO NWs	mwnt, SWNTs, Si, Ge, ZnO NWs
二维纳米材料	NA	NCG，垂直石墨烯	NCG，垂直石墨烯，BN, MoS₂ CVD石墨烯

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化学汽相淀积系统