超导量子比特和量子电路的解决方案

发现的主要腐蚀和沉积的解决方案组件的制造超导量子电路。

量子Plasma-enhanced沉积和蚀刻解决方案

我们提供几个解决方案超导量子比特和量子电路:

ALD的超导氮化物,例如NbN公司禁止,锡
ALD的隧道障碍,例如₂O₃,AlN
等离子体刻蚀的超导金属和氮化物
通过深硅蚀刻在矽(TSV)对3 d集成

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原子层沉积超导NbN公司禁止的

超导薄膜沉积NbN公司禁止通过血浆ALD射频衬底偏置

我们已经开发出一种血浆ALD过程操作温度较高的NbN公司禁止超导互联

射频偏压使应力控制实现室温电阻率最小
低的室温电阻率与更高的超导转变温度(T_c)
保形涂层的唯一方法垂直tsv超导薄膜
9 K T_c牛津仪器测量:bob平台下载手机版
- ~ 45纳米薄膜沉积NbN公司禁止在250°C
- 室温ρ= 139µΩcm;Tc K = 12.9
更高的温度过程可能导致更高的T_c

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原子层沉积超导锡

超导薄膜沉积锡通过血浆ALD射频衬底偏置

我们已经成功地沉积超导锡通过血浆ALD使用偏差可以很好地调整电影室温电阻率等属性。因此,这已经达到了临界温度的3 K 90纳米薄膜沉积在250°C

T_c90 nm ~ 3 K的锡
问_我内部质量因素是谐振器质量的关键措施
成功制造微波谐振器的内部质量因素气> 10⁵在~ 250可测量,基于锡通过血浆ALD的沉积FlexAL系统(Coumou等,2013)
RF-bias:变量来调整结晶度、电阻率、电影密度和压力
进一步优化可能

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(来源:格拉斯哥大学)

原子层沉积的隧道壁垒

正形,杜绝了& low-pinhole隧道plasma-enhanced ALD壁垒

结合血浆ALD的好处(PE-ALD)与其他技术集群系统的能力和释放独特的功能。

血浆ALD的关键优势₂O₃:

高击穿电压
低漏电流
低的针孔
非常光滑的影片最低噪音
更高的密度
原子厚度精度
每周期更快的增长
C & H含量低

去除无定形氧化本地种植优质PE-ALD之前₂O₃通过:

使用原位pre-clean基于氮化/降低等离子体
集群的啤酒或金属腐蚀模块

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(来源:Jinesh et al ., 2011)

等离子体刻蚀的超导金属和氮化物

超导金属和金属氮化物蚀刻:控制表面噪声和信号损失降至最低

单层或堆栈腐蚀导致:

胎侧光滑,残留物和表面
精确控制腐蚀的概要文件
集群没有真空破坏其他模块进行处理,如ALD metal-etch后隧道的障碍

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200海里Nb腐蚀
抵制面具完全剥夺了

200纳米莫腐蚀
抵制面具部分剥夺了

垂直铝/铝₂O₃/ Al隧道结堆栈腐蚀

深硅蚀刻(DSiE) TSV

在矽通过3 d集成(TSV)

我们提供两个蚀刻过程制造垂直tsv,从而使扩展基于3 d的超导量子电路架构

博世腐蚀率和高边墙控制(20µm /分钟)
低温腐蚀,低腐蚀率和胎侧跟(2µm /分钟)

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博世蚀刻的TSV

低温腐蚀的超光滑侧壁特性

超导量子电路量子位&应用程序系统bob综合app官网登录

使这些解决方案FlexAL和PlasmaPro 100沉积和蚀刻系统,能产生小优惠券到200 mm晶圆,可集群增加吞吐量和避免真空优惠。

我们的PlasmaPro 100平台支持高精度沉积和蚀刻为量子设备范围广泛的材料。

的FlexAL原子层沉积(ALD)系统提供了一个广泛的高质量的退化过程优化隧道的制造障碍和钝化层各种量子设备,并使超导薄膜的沉积具有高临界温度,tsv谐振器和单光子探测器。

bob平台下载手机版牛津仪器有很强的历史在这个快速发展提供先进的解决方案应用程序的关键推动者量子技术以外的设备制造解决方案。bob综合app官网登录

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FlexAL ALD系统

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