活性离子蚀刻(RIE)

反应离子蚀刻(RIE)是一种简单的操作和经济的解决方案，一般等离子蚀刻。单个射频等离子体源决定离子密度和能量。

我们的RIE模块提供各向异性干蚀刻
工艺范围广泛。

白皮书

网络研讨会

RIE

突出了

多种蚀刻工艺选择:

化学蚀刻-各向同性，速度快
离子诱导蚀刻-各向异性，中速率
物理蚀刻-各向异性，速率慢
广泛应用于bob综合app官网登录半导体退加工和失效分析

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RIE特点:

固态射频发生器和紧密耦合匹配网络，用于快速和一致的蚀刻
全区域工艺气体入口淋浴喷头，使气体分布均匀
电极的温度从-150ºC到+400ºC
泵送能力高，工艺压力窗口宽
具有He背面冷却的晶圆夹紧可用于最佳的晶圆温度控制

广泛的材料可以蚀刻，包括:

介电材料(SiO₂,罪_x等)。
硅基材料(Si, a-Si, poly Si)
III-V类材料(GaAs, InP, GaN等)
溅射金属(Au, Pt, Ti, Ta, W等)
类金刚石(DLC)

	PlasmaPro 80	PlasmaPro 800	PlasmaPro 100
电极的大小	240毫米	460毫米	240毫米
加载	打开负载		负载锁定或盒式磁带
基板	最高可达240mm	可达460mm	200mm的载流子可用于多片或小片
MFC控制的天然气管道	8线或12线气箱可选
晶圆级温度范围	-150℃至400℃	10℃~ 80℃	-150℃至400℃
他的背面冷却选项	是的	没有	是的
ICP选项	是的	没有	是的
集中等离子体	是的		没有

我们有幸与来自伦敦大学学院(UCL)的Oscar Kennedy博士和Wing Ng博士讨论了他们最新的研究项目以及他们如何使用我们的PlasmaPro®80 RIE系统。

Oscar Kennedy博士使用PlasmaPro RIE系统通过刻蚀超导NbN薄膜来创建超导电路，而Wing Ng博士使用RIE系统在一对波导之间精确地绘制了一个50纳米间隙的光滑侧壁，用于基于芯片的光学缓冲。阅读案例研究了解更多。

UCL的PlasmaPro 100 RIE案例研究

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