等离子蚀刻是当今世界上必不可少的工具,使我们认为理所当然的许多技术。例如,没有它,智能手机将是不可能的。等离子体蚀刻是在几乎任何材料中创建特征的一种方式,这些功能可以在NM尺度上或100微米。该技术可用于使它们全部。
等离子蚀刻的领先技术之一是ICP-RIE,它在过程性能方面具有许多优势:
为了控制轮廓控制并说明其好处:摩尔定律将设备的临界维度(CD)驱动到低于µm的水平。如果您的功能在垂直和水平上沿相同方向蚀刻的功能,那么如此紧密包装的设备将很快互相干扰。
ICP-RIE等离子体蚀刻可以产生完美的垂直特征,因此CD得以维持。与湿蚀刻相比,它被广泛使用。
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砷耐VCSEL蚀刻工艺
RIE的等离子蚀刻已被广泛使用数十年,而其性能与ICP-Rie的性能不符,它是一种简单的技术,对许多应用非常有效。bob综合app官网登录
例如,介电蒙版的等离子蚀刻通常不需要高率,而RIE提供了足够的垂直性来创建出色的口罩。
有关Rie的更多信息二氧化硅(SIO)2)rie蚀刻
pe蚀刻是等离子体蚀刻溶液的最小方向性,因此不适合创建精细的垂直特征。它用于高度选择性的各向同性过程,在该过程中,底切是可以接受的,可用于选择性地清除大面积材料到基础层。
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