血浆处理方面的独特专业知识

借助设计用于大型制造（HVM）或研发的系统，我们为实验室或工厂提供了您所需的硬件和处理解决方案。我们的等离子体处理技术为蚀刻，沉积和材料增长提供了广泛的高级能力。我们的图书馆中有超过8,000种食谱，我们提供了流程开发和支持，并根据客户的需求进行了定制，从而使其能够以高晶圆的收益和快速，高性能处理来实现正确的拥有成本。

我们提供的：

血浆蚀刻和沉积
离子束蚀刻和沉积
原子层蚀刻和沉积

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血浆蚀刻和沉积

等离子体过程对于高级微电子制造至关重要。我们的等离子体过程提供了自信地实现所需设备特性的可靠性。我们的多功能等离子体蚀刻和沉积工具提供了：

多种电影的蚀刻和沉积
低伤害和精确的深度和厚度控制
在宽温度范围内的过程

血浆蚀刻

反应性离子蚀刻（Rie）
反应性离子蚀刻 - 血浆增强（Rie-pe）
电感耦合等离子体蚀刻（ICP）
深硅蚀刻（DSIE）

血浆沉积

血浆增强化学蒸气沉积（PECVD）
电感耦合等离子化学蒸气沉积（ICPCVD）
化学蒸气沉积（CVD）

电介质金属等离子体rie蚀刻

电介质金属等离子体rie蚀刻

电感耦合等离子体化学蒸气沉积

ICP化学蒸气沉积

离子束蚀刻和沉积

离子束蚀刻和离子束沉积提供胶片质量和蚀刻控制，并获得出色的均匀性。它非常适合多种应用，例如MRAM，激光杆面和薄膜磁头。bob综合app官网登录离子光束技术使研究人员和大量制造商能够生产具有光滑表面的密集高质量薄膜。

离子束蚀刻电子

离子束蚀刻电子

原子层蚀刻和沉积

许多先进的设备在制造过程中需要原子尺度的精度，以提供所需的精度，我们提供了原子层蚀刻和沉积的先进处理技术。这种操纵和控制物质的能力精确地促进了研发和下一代半导体设备的生产。

原子量表蚀刻

该技术旨在一次准确地去除一个原子层。使用常规蚀刻的无法实现的控制水平。

原子量表沉积

该技术提供了针对高级应用的精确控制沉积，该应用程序是每个过程周期沉积的单个原子层，它是自限制的，并将共形涂层分成高纵横比结构。bob综合app官网登录

介电和金属的原子层沉积，损伤低

介电和金属的原子层沉积

25nm宽的Si沟蚀刻到110nm深度的Si沟。

25nm宽的Si沟蚀刻到110nm深度的Si沟。

所有等离子体技术

反应性离子蚀刻

ICPCVD

原子层沉积

Rie-pe

纳米级生长

原子层蚀刻

ICP蚀刻

离子束蚀刻

原子量表处理

PECVD

离子束沉积

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有关我们的等离子过程技术的问题，或有关我们任何技术的更多信息，请与我们的专家联系。等离子体 - experts@oxinst.com。我们将很乐意提供帮助。

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