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工艺解决方案
电力设备

碳化硅和氮化镓动力器件

高效的电力开关和转换设备使电动汽车和本地电力创造和分配网络等新技术成为可能。

器件性能的进步通过使用材料,如原文如此而且氮化镓意味着更低的能量损失。bob平台下载手机版牛津仪器公司对如何通过其工艺解决方案,如制造最优化的设备有深刻的理解原子层沉积等离子体刻蚀而且等离子体沉积

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电力设备解决方案

  • 我们的原子层沉积(ALD)工艺提供了极好的GaN/AlGaN钝化降低阈值电压漂移
  • Atomfab是我们在ALD技术方面的最新创新,专为GaN和RF器件制造而设计。
  • 我们的氮化镓腐蚀工艺优化,以减少等离子体损伤,并产生光滑的蚀刻轮廓
  • 蚀刻速率可以调整到几纳米/分钟,以实现超低损伤和仅10-30nm的可控蚀刻沃甘
  • SiC蚀刻实现高产量和优良的井壁质量
  • SiC特征蚀刻显示光滑的蚀刻表面的最佳设备性能

SiC和GaN的制造工艺

简化工艺流程。橙色的过程显示牛津仪器公司的技术覆盖的解决方案。bob平台下载手机版

要求定价
碳化硅工艺
要求定价
用于GaN工艺

ATOMFAB ALD系统

Atomfab是我们ALD系统技术的最新创新,为GaN电源和射频器件提供快节奏、低损坏、低CoO生产的等离子ALD处理。

  • 极佳的薄膜均匀性
  • 基材损伤小
  • 竞争首席运营官
碳化硅孔蚀刻SEM图像

碳化硅孔蚀刻SEM图像

碳化硅孔蚀刻特写SEM图像

碳化硅孔蚀刻特写SEM图像

平滑且垂直的SiC特征蚀刻

平滑且垂直的SiC特征蚀刻

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