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PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE蚀刻

PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE蚀刻利用高密度等离子体实现快速蚀刻和沉积速率。工艺模块为尺寸达200mm的晶圆提供了极好的均匀性、高通量、高精度和低损伤工艺。

我们的系统在大批量制造(HVM)中拥有广泛的安装基础,并拥有完善的工艺解决方案。PlasmaPro 100 Cobra支持多个市场,包括MEMS和传感器、GaAs和InP激光光电子、SiC和GaN电力电子以及RF。

  • 宽温度范围电极-150°C至400°C

  • 可兼容最大200mm的所有晶圆尺寸
  • 晶圆尺寸之间的快速变化
  • 低拥有成本和易维护性
  • 占地面积小,布局灵活
  • 现场腔室清理和端部勾缝


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Cobra®ICP蚀刻源在低压下产生高密度的反应性物质。衬底直流偏压由射频发生器独立控制,允许根据工艺要求控制离子能量。

bob平台下载手机版牛津仪器公司的PlasmaPro 100工艺模块提供了一个200mm平台,具有单晶片和多晶片批处理能力。工艺模块提供出色的均匀性、高通量和高精度工艺。

以均匀的高电导路径将反应性物质输送至基底-允许在保持低压的同时使用高气流

可变高度电极-利用等离子体的三维特性,并在最佳高度容纳厚度达10mm的基板

宽温度范围电极(-150°C至+400°C),可通过液氮、流体再循环冷却器或电阻加热进行冷却-可选的吹出和流体交换装置可自动切换模式

由再循环冷却装置供电的流体控制电极-优良的基板温度控制

RF动力淋浴头,具有优化的气体输送-通过LF/RF开关提供均匀的等离子体处理,允许精确控制薄膜应力

ICP光源尺寸为65mm、180mm和300mm-提供高达200mm晶圆的工艺均匀性

高泵送能力-提供宽的过程压力窗口

硅片背面冷却夹紧-最佳晶圆温度控制

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全球客户支持

bob平台下载手机版牛津仪器致力于提供全面、灵活和可靠的全球客户支持。我们在您系统的整个生命周期内提供优质服务。

  • 远程诊断软件提供快速简便的故障诊断和解决方案。
  • 可根据预算和情况提供支持合同。
  • 战略位置的全球备件,以便快速响应。
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新:PTIQ软件

PTIQ是PlasmaPro和Ionfab处理设备的最新智能软件解决方案。

  • 卓越的响应系统控制水平
  • 优化系统和过程性能
  • 不同级别的软件以满足您的需求
  • 全新直观的布局和设计
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选择权

其他PlasmaPro 100系统包括:

PlasmaPro 100 RIE

  • RIE模块为广泛的工艺提供各向异性干法蚀刻。

PlasmaPro 100 ICPCVD

  • ICP CVD工艺模块设计用于在较低的沉积压力和温度下,利用高密度等离子体,在室温至400°C范围内生产高质量薄膜。

PlasmaPro 100 PECVD

  • PECVD工艺模块专门设计用于生产均匀性好、速率高的薄膜,并可控制薄膜特性,如折射率、应力、电气特性和湿化学腐蚀速率。

升级/配件

气荚-包括额外的气体管线,并允许更大的灵活性

Logviewer软件-数据记录软件允许实时绘图和运行后分析

光学端点检测器-实现最佳工艺结果的重要工具

软泵-允许真空室缓慢泵送

涡轮分子真空泵-提供卓越的泵送速度和更高的吞吐量

X20控制系统-提供经得起未来考验的、灵活可靠的工具,增强系统的“智能”

高级能量发生器-提供更高的可靠性和更高的等离子体稳定性

自动压力控制-该控制器确保了非常快速和准确的压力控制

双厘米开关-能够通过一个压力控制阀使用两个不同范围的电容压力计

液氮自动转换装置-使工作台冷却液能够在液氮(LN2)和冷却液之间自动切换

TEOS液位传感-液位感应通过安装在TEOS罐上的超声波液位传感器实现

宽温区电极-显著改进设计以提高工艺性能

活动预告

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